• SOT-323 SS8050W NPN Кремниевый эпитаксиальный плоский транзистор для высокого электрического тока
SOT-323 SS8050W NPN Кремниевый эпитаксиальный плоский транзистор для высокого электрического тока

SOT-323 SS8050W NPN Кремниевый эпитаксиальный плоский транзистор для высокого электрического тока

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Донггуан Китай
Фирменное наименование: UCHI
Сертификация: Completed
Номер модели: SS8050W

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1000 шт.
Цена: Подлежит переговорам
Упаковывая детали: Стандартный
Время доставки: 3weeks
Условия оплаты: Т/Т, Вестерн Юнион
Поставка способности: 5000 штук
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Выделить:

SS8050W

,

npn кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор

,

Эпитаксиальный планарный транзистор с высоким коллектором тока

Характер продукции

SOT-323 высокочастотный транзистор с низким уровнем шума ((PNP)

 

СТРАНИЦЫ
 
- Коллекторный ток.
- В дополнение к SS8550W.
- Рассеивание коллектора:PC=200mW(TC=25°C)
 
 
Применение
 
- Высокий коллекторный ток.
 
 
Информация о заказах
 
Номер типа: SS8050W
Маркировка: Y1
Код упаковки: SOT-323
 

Электрические характеристики @ Ta=25 °C, если не указано иное

 

Параметр Символ Условия испытаний МИН Тип Максимум ЕДИНСТВО
Напряжение отключения от базы коллектора V ((BR) CBO IC=100μA,IE=0 40     V
Напряжение отключения коллектора-излучателя V(BR)CEO IC=2mA, IB=0 25     V
Напряжение отключения излучателя-базы V ((BR) EBO IE=-100μA, IC=0 5     V
Ограничительный ток коллектора ICBO VCB=40V,IE=0     0.1 μA
Ограничительный ток коллектора ICEO VCE=20V, IB=0     0.1 μA
Ограничительный ток излучателя IEBO VEB=5V, IC=0     0.1 μA
Увеличение постоянного тока

 

hFE

VCE=1V, IC=100mA 120   400  
VCE=1V, IC=800mA 40      
Напряжение насыщения коллектора-излучателя VCE ((sat) IC=800 mA, IB=80 mA     0.5 V
Напряжение насыщения базового излучателя VBE ((sat) IC=800 mA, IB=80 mA     1.2 V
Напряжение базового излучателя VBE VCE=1V IC=10mA     1 V
Частота перехода fT VCE=10V, IC=50mA f=30MHz 100     МГц

 

КЛАССИФИКАЦИЯ ХФЕ ((1)

 

Звание Л H J
Диапазон 120-200 200-350 300-400

 

 

Типичный КАРАКТЕРИСТИКА @Да.=25 °Cесли только В противном случае указано

SOT-323 SS8050W NPN Кремниевый эпитаксиальный плоский транзистор для высокого электрического тока 0

 

SOT-323 SS8050W NPN Кремниевый эпитаксиальный плоский транзистор для высокого электрического тока 1

 

 
 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно SOT-323 SS8050W NPN Кремниевый эпитаксиальный плоский транзистор для высокого электрического тока не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.