 |
Общий диод Schottky структуры катода для применений предохранения от полярности
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Dongguan Китай |
| Фирменное наименование: | Uchi |
| Сертификация: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Номер модели: | MBR10200 |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | переговоры |
|---|---|
| Цена: | Negotiation |
| Упаковывая детали: | Пакет/переговоры экспорта |
| Время доставки: | переговоры |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 2000000 в месяц |
|
Подробная информация |
|||
| Тип: | Диод Schottky | Особенности: | Продукт RoHS |
|---|---|---|---|
| Тип пакета: | Через отверстие | Максимальный пропускной ток: | 30A, 30A |
| Максимальное пропускное напряжение: | 0.9V, 0.9V | Максимальное обратное напряжение: | 200V |
| Высокий свет: | Общий диод Schottky структуры катода,Диод Schottky предохранения от полярности,30A через диод отверстия |
||
Характер продукции
Общий диод Шоттки структуры катода для применений предохранения от полярности
MBR10200.pdf
Диод Шоттки представляет собой металло-полупроводниковый прибор, выполненный из благородного металла (золота, серебра, алюминия, платины и др.) А в качестве положительного электрода и полупроводника N-типа В в качестве отрицательного электрода, а потенциальный барьер образован на контактная поверхность двух имеет характеристики выпрямления.Поскольку в полупроводнике N-типа имеется большое количество электронов и лишь небольшое количество свободных электронов в благородном металле, электроны диффундируют из В с высокой концентрацией в А с низкой концентрацией.Очевидно, что в металле А нет дырок, и нет диффузии дырок из А в В. По мере того, как электроны продолжают диффундировать из В в А, концентрация электронов на поверхности В постепенно уменьшается, и электрическая нейтральность поверхности нарушается. , образуя таким образом потенциальный барьер, а направление его электрического поля — B→A.Однако под действием электрического поля электроны в А также будут производить дрейфовое движение от А→В, тем самым ослабляя электрическое поле, образующееся за счет диффузионного движения.Когда устанавливается область пространственного заряда определенной ширины, дрейфовое движение электронов, вызванное электрическим полем, и диффузионное движение электронов, вызванное различными концентрациями, достигают относительного баланса, образуя барьер Шоттки.
Функции
1. Структура общего катода
2. Низкие потери мощности, высокая эффективность
3. Высокая рабочая температура перехода
4. Защитное кольцо для защиты от перенапряжения, высокая надежность.
5. Продукт RoHS
Приложения
1. Высокочастотный переключатель Источник питания
2. Диоды свободного хода, приложения для защиты от полярности
ОСНОВНЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ
|
ЕСЛИ(АВ) |
10(2×5)А |
|
ВФ (макс.) |
0,7 В (@Tj=125°C) |
|
тж |
175°С |
|
VRRM |
100 В |
СООБЩЕНИЕ О ПРОДУКТЕ
|
Модель |
Маркировка |
Упаковка |
|
МБР10100 |
МБР10100 |
ТО-220С |
|
MBRF10100 |
MBRF10100 |
ТО-220Ф |
|
МБР10100С |
МБР10100С |
ТО-263 |
|
МБР10100Р |
МБР10100Р |
ТО-252 |
|
МБР10100В |
МБР10100В |
ТО-251 |
|
МБР10100С |
МБР10100С |
ТО-220 |
АБСОЛЮТНЫЕ ОЦЕНКИ (Tc=25°C)
|
Параметр |
Символ |
Ценить |
Единица |
||
|
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
VRRM |
100 |
В |
||
|
Максимальное блокирующее напряжение постоянного тока |
VDC |
100 |
В |
||
|
Средний прямой ток |
TC=150°C (ТО-220/263/252) TC=125°C(TO-220F) |
на устройство
на диод |
ЕСЛИ(АВ) |
10 5 |
А |
|
Импульсный неповторяющийся прямой ток 8,3 мс одиночная полусинусоида (метод JEDEC) |
ИФСМ |
120 |
А |
||
|
Максимальная температура перехода |
тж |
175 |
°С |
||
|
Диапазон температур хранения |
ТСТГ |
-40~+150 |
°С |
||
